DRAM üreticileri 2025'te DDR3 ve DDR4 üretimini durduracaklar
Gönderilme zamanı: 21 Şub 2025, 12:10

DRAM endüstrisi bu yıl büyük bir sarsıntıya uğrayabilir. Kaynaklar, en büyük bellek üreticilerinin odaklarını neredeyse tamamen yüksek performanslı yongalara kaydırmasıyla olgun DRAM çözümlerinin üretiminin sona erebileceğini iddia ediyor. Eğer doğruysa, bu hareketin hem pazar hem de son kullanıcılar için önemli sonuçları olabilir.
DRAM sektöründeki "üç büyük" şirket bu yıl DDR3 ve DDR4 bellek çözümlerinin üretimini sonlandırmaya hazırlanıyor. Samsung Electronics, SK Hynix ve Micron'un iş stratejilerini uyumlu hale getirerek, öngörülebilir gelecekte DDR5 ve yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) ürünlerine odaklanacakları bildiriliyor.
Eski bellek teknolojilerinin üretiminin durdurulması, son müşteriler ve cihaz üreticileri hala bunlara güvendiği için piyasayı önemli ölçüde etkileyebilir. Sektör kaynakları , 2025'in sonlarında tedarik sıkıntısı yaşanmasını öngörüyor ve Tayvanlı üreticilerin devreye girerek Güney Koreli ve Amerikalı rakiplerinin bıraktığı boşluğu doldurması bekleniyor.
Önemli bir Tayvanlı bileşen tedarikçisi olan Nanya Technology'ye göre, fiyatlandırma stratejilerinin bu gelişen piyasa koşullarına uyum sağlaması gerekecektir. DRAM pazarının 2025'in ilk yarısında daralması öngörülüyor ancak artan talep, akıllı envanter yönetimi ve çeşitli bölgelerdeki ekonomik teşvik girişimleri sayesinde kısa süre sonra toparlanması bekleniyor.

Şirketler hâlâ çok konuşulan AI devriminden elle tutulur değer çıkarmaya çalışırken , çip endüstrisi finansal ödülleri toplamaya devam ediyor. Bellek ürünlerine olan talep, öncelikle AI iş yükleri için bulut bilişim altyapısı tarafından yönlendiriliyor ve tüketici talebi yalnızca mütevazı bir itici güç sağlıyor.
Fiyatların bu piyasa eğilimlerine yanıt olarak değişmesi bekleniyor. DDR3 ve DDR4 bellek fiyatları şu anda düşüşteyken, üreticiler stratejik olarak odaklarını DDR5 ve HBM'ye kaydırıyor. Bu arada, inSpectrum analistleri DDR5 fiyatlarının zayıf talebe rağmen artmaya devam ettiğini bildiriyor.
Yüksek performanslı bellek ürünlerine artan vurgu, bileşen sağlayıcılarını üretim kapasitelerini yükseltmeye yöneltiyor. Tayvanlı IC üreticisi Winbond Electronics, 8 Gb DDR yongaları üretmek için 2025'in ikinci yarısında yeni bir 16 nm sürecine geçmeyi planlıyor. Şu anda şirketin 20 nm süreci, öncelikle DDR3 ve DDR4 bellek çözümlerindeki 4 Gb yongalar için kullanılıyor.
Kaynak :
https://www.techspot.com/news/106834-ma ... ction.html