Samsung ilk 60 nm DDR2 bellek yongalarını gelistirdigini ve yılın sonuna dogru üretime geçecegini iddia etti. Bu 60 nm 800 MHz türü yongalar bugünün 80 nm’lik bellek birimlerine göre yaklasık %20 daha hızlı ve kapasiteleri de 1 GB’dan 2 GB’a çıkarılmıs. Bellek teknolojisinde saygın bir yere sahip olan sirket, bu yongaların üst seviyeli bellek pazarına hitap ettiklerini belirtti ve “yüksek kapasiteli belleklere olan egilimi” arttıracaklarına isaret etti.
2 GB yongaların, toplamda 8 GB kapasitesi olan FB-DIMM’ler (Fully Buffered Dual Inline Memory Modules), 4 GB U-DIMM’ler (Unbuffered-DIMM) ve 4 GB SO-DIMM’ler(Small Outline-DIMM, dizüstü platformlar) için kullanılması bekleniyor.
Güç tüketimi de yeni nesil yongalar sayesinde dikkate deger biçimde düsebilir. Samsung, 72 adet 1 GB yongadan olusan bir 8 GB’lık bellek birimine karsı 36 X 2 GB’lık bir 60 nm çözümünün %30 daha az enerji harcayacagını söyledi.
Alıntıdır..