uzun süredir bellek ve depolama, bir bilgi işlem cihazının ayrı parçaları olarak çalışıyor. Üreticiler, RAM ve NAND'ın avantajlarını tek bir pakette birleştirmeyi denedi, ancak yalnızca sınırlı bir başarı elde etti. UltraRAM adı verilen geçici bellekbir potansiyel gösteriyor, ancak ticari bir ürüne entegre edilmesi biraz zaman alacak.
Rastgele erişimli bellek (RAM) ve depolamayı birleştirmek yeni bir fikir değil , ancak şimdiye kadar hiçbir şirket bu konsepti , yaygın olarak kullanılan bir ticari ürüne dönüştürmeyi başaramadı. Bu ayın başlarında, Birleşik Krallık'taki Lancaster Üniversitesi Fizik ve Mühendislik Bölümü'nden araştırmacılar, UltraRAM'ı seri üretime yaklaştıran önemli ilerlemeyi detaylandıran bir makale yayınladılar.
UltraRAM, "flaş gibi bir veri depolama belleğinin uçucu olmamasını, DRAM gibi çalışan bir belleğin hızı, enerji verimliliği ve dayanıklılığı ile birleştiren" bir bellek teknolojisi olarak tanımlanır. DRAM ve flash depolama arasındaki boşluğu Optane ile kapatmayı denedi, ancak sınırlı bir başarı elde etti.Samsung'un Z-NAND adlı bir şeyi var ve Kioxia ve Western Digital ayrıca XL- FLASH'i gelecekteki tüketici ve kurumsal depolama çözümlerine entegre etmek istiyor.
UltraRAM'ı yapmak için kullanılan malzemeler, LED'ler, lazerler, fotodiyotlar ve fototransistörler gibi optoelektronik cihazlarda kullanılan bileşik yarı iletkenlerle aynı bileşiktir. Arkasındaki bilim adamları tarafından yapılan en son atılım, Galyum Arsenide levhaların aksine silikon alt tabakalar üzerine inşa edildiğinde performansını artırmaktı. 1000 kata kadar daha pahalı olabilir.
Bilim adamları, test ettikleri prototip cihazların 1.000 yıllık veri saklama ve 10 milyondan fazla program/silme döngüsünde "bozulmadan dayanıklılık" sunabileceğini iddia ediyor. Son rakam tek başına teknoloji şirketlerinin ilgisini çekmeye yetiyor, özellikle de gerçekten geleneksel RAM kadar hızlı olabiliyorsa.
Bu yeni teknolojinin bir başka avantajı, voltaj uygulandığında bir bariyerin opaktan şeffafa geçmesine izin vermek için rezonant tünellemenin kuantum mekanik etkisinden yararlanmasıdır.Bu işlem, RAM ve flash depolamada kullanılan anahtarlama teknolojileriyle karşılaştırıldığında çok enerji verimlidir, böylece pil gücüyle kullanıldığında daha uzun süre dayanan daha iyi mobil cihazlara yol açabilir.
Aynı süreç, teorik olarak üreticilerin tek bir çipe daha fazla bellek kapasitesi sıkıştırmasına izin vermesi gereken yüksek bit yoğunluğuna sahip oldukça kompakt bir mimariye izin veriyor. Lancaster Üniversitesi araştırmacıları, bellek hücrelerinin üretim sürecini daha da iyileştirmeleri gerektiğini söyledi, ancak yine de bu, bellek içi bilgi işlem için çok fazla potansiyele sahip ilginç bir teknolojidir , çünkü verilerin işlemci, bellek ve bir aygıtın kalıcı depolaması arasında gidip gelme ihtiyacını ortadan kaldırır.
Kaynak:
https://www.techspot.com/news/92944-ult ... ingle.html